Что значит "скрытое фотографическое изображение". Фотохимическое действие света на светочувствительное вещество. Образование скрытого изображения Отрывок, характеризующий Скрытое изображение

Фотография стала одним из первых методов, широко и органически воспринятых криминалистикой и творчески приспособленных к своеобразным условиям исследования вещественных доказательств.

Сотрудники судебно-экспертных учреждений как специалисты при производстве следственных действий и оперативно-розыскных мероприятий и как эксперты должны прекрасно понимать сущность фотографического процесса и знать характеристики применяемых фотоматериалов, чтобы, исходя из конкретных исходных условий, выбрать наиболее подходящие фотоматериалы и оптимальные режимы съемки и обработки.

В данной главе я попытался рассмотреть черно-белый фотографический процесс и представлен детальный механизм формирования изображения.

Физико-химическая сущность фотографического процесса

Процесс образования фотографического изображения - сложнейший многостадийный физико-химический процесс, который включает в себя следующие основные этапы:

химическое созревание (создание серебряных центров светочувствительности при получении галогеносеребряной эмульсии) - осуществляется при производстве фотоматериалов;

экспонирование (образование центров скрытого изображения при фотохимическом действии света на галогениды серебра) - происходит непосредственно при фотографировании на светочувствительные материалы;

химико-фотографическая обработка (получение видимого изображения) - осуществляется при проявлении и закреплении изображения.

При черно-белом фотографическом процессе проявление позволяет получить видимое серебряное изображение, закрепление предназначено для растворения непроявленных галогенидов серебра с последующим вымыванием из фотослоя. Кроме того, существует ряд вспомогательных и дополнительных процессов, способствующих повышению чувствительности, качества изображения и улучшению других характеристик фотографического процесса.

Химическое созревание осуществляется при производстве фотоматериалов. Эта стадия фотографического процесса здесь не рассматривается, так как она является производственным технологическим процессом фотопромышленности. Фотограф, как правило, имеет дело с уже готовыми различными фотоматериалами и выбирает их по определенным характеристикам.

Образование скрытого изображения

В твердом состоянии галогениды серебра (AgHal - AgCl, AgBr, AgI) образуют кристаллы. В кристаллах хлорида (AgCl) и бромида (AgBr) серебра ионы галогена расположены в вершинах и центрах граней куба.

Ионы серебра расположены аналогичным образом, причем образуемый ими куб смещен относительно куба, определяемого ионами галогена. Такие кристаллы относятся к классу гранецентрированных кубических кристаллов. Эти кристаллы существуют в виде агрегатных скоплений, представляющих повторение структуры, в направлениях трех координатных осей. Если AgCl и AgBr осаждаются одновременно, то образуются смешанные гранецентрированные кубические кристаллы, в которых углы решетки заняты как ионами хлора, так и ионами брома. Иодид серебра AgI при комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении образует иную кристаллическую структуру, однако, бромид и хлорид серебра в присутствии малых концентраций AgI образуют при осаждении смешанные гранецентрированные кубические кристаллы.

Форма кристаллов зависит от процесса осаждения. Кристаллы могут быть кубическими, в форме октаэдра, пластинчатыми или нерегулярными. Однако внутренняя структура всегда такова. Средний размер зерна галогенида серебра примерно равен 1000 нм, оно содержит около 1010 гранецентрированных кубиков.

У реального кристалла галогенида имеются отклонения от идеальной структуры. Из-за нарушений равновесных условий роста, захвата примесей при кристаллизации под влиянием различных воздействий в структуре кристалла возникают нарушения - так называемые дефекты (ион серебра уходит из своего нормального положения в кристаллической решетке и свободно блуждает в междуузельном пространстве). Данные дефекты и многочисленные инородные включения в кристаллической решетке образуют центры светочувствительности, которые являются и центрами концентрирования атомов серебра в результате действия света. От величины этих центров зависит уровень светочувствительности: чем крупнее центры, тем выше светочувствительность. Обычно рост центров сопровождается увеличением размеров микрокристаллов, поэтому высокочувствительные фотоматериалы бывают крупнозернистыми, а малочувствительные - мелкозернистыми.

От зернистости светочувствительного слоя зависит зернистость изображения - неоднородность почернения равномерно экспонированного и проявленного участка фотоматериала. Зернистое строение изображения уменьшает его четкость. Линии, разорванные на отдельные зерна, становятся неровными, контуры - нерезкими. Повышенная зернистость ухудшает качество изображения. Процесс образования скрытого изображения заключается в следующем. При экспонировании фотографического слоя кванты лучистой энергии поглощаются галогенидом серебра, при этом происходит реакция фотолиза

2AgHal = 2Ag + Hal2

В экспонированных галогенидах образуются центры скрытого изображения. Серебро остается в кристалле в виде скоплений от нескольких атомов серебра (минимум 4 атома) до сотен, а галоген в виде двухатомных молекул выходит в окружающее пространство.

Образование скрытого изображения связано с размерами и распределением центров светочувствительности по объему микрокристалла галогенида серебра. Лишь крупные центры скрытого изображения проявляются, они называются центрами проявления; мелкие центры не вызывают проявления. Чем больше света попало на фотоматериал при экспонировании, тем крупнее частицы, составляющие эти центры, и тем быстрее будет идти проявление. На участках фотоматериала, которые не подвергались действию квантов света, реакция фотолиза не происходит и центры скрытого изображения не образуются.

Если экспонированный фотоматериал своевременно не проявить, скрытое изображение может исчезнуть: составляющие его атомы серебра вновь соединятся с атомами галогена и образуют исходное вещество - галогенид серебра. Это явление называется "регрессией скрытого изображения", которая усиливается при хранении экспонированного фотоматериала в теплой, влажной, загрязненной атмосфере и уменьшается при низкой температуре.

3.1.1 Образование скрытого изображения

2AgHal = 2Ag + Hal2

Проявление - процесс превращения скрытого изображения, полученного в светочувствительном слое фотоматериала под действием света или другого излучения, в видимое серебряное изображение. Чтобы проявить светочувствительный слой...

Естественно-научные основы фотографии

В проявленном фотоматериале содержится видимое серебряное изображение и галогениды серебра, которые все еще являются светочувствительными соединениями. Если эти галогениды серебра не удалить, то они постепенно начнут на свету темнеть...

Естественно-научные основы фотографии

На светочувствительном слое можно получить сразу позитивное изображение фотографируемых объектов. Этот метод называется в фотографии "методом обращения"...

Ворсистость образуется при следующих параметрах работы: -радиус окружности движения нижнего держателя 50 мм; -движение нижнего держателя - качательное; -нагрузка верхнего держателя на нижний 500 гс; -удельное давление на испытуемую часть ткани...

Изучение приборов и методик определения пиллингуемости текстильных материалов на соответствие ГОСТ 14326-73

Пилли образуются при следующих параметрах работы прибора: -радиус окружности движения нижнего держателя 3 мм; -движение нижнего держателя -- по окружности в одном направлении; -нагрузка верхнего держателя на нижний 100 гс; -удельное давление на...

История появления, механизмы, устройства и принцип работы швейной машины

Механизм иглы сообщает игле, в ушко которой заправлена нитка, возвратно-поступательное или колебательное движение. В результате осуществляется прокол иглой материала, провод через него верхней нитки и создание у ушка иглы петли...

Машиностроительное черчение. Свойства металлов и сплавов

Основные правила выполнения изображения Чертеж содержит изображения, которые в зависимости от их содержания делят на виды, разрезы и сечения. Изображения предмета позволяют установить формы отдельных его поверхностей...

Обработка заготовок на токарных станках

Процесс резания (стружкообразования) - сложный физический процесс, сопровождающийся большим тепловыделением, деформацией металла, изнашиванием режущего инструмента и наростообразованием на резце...

Основы негативного процесса обработки фотоматериалов

Проявление -- часть фотографического процесса для получения видимого изображения из скрытого (полученного экспонированием фотоматериала) посредством химического или физического процесса. Фотография. Энциклопедический справочник...

Особенности эксплуатации обводняющихся газовых скважин

Если дебит газа достаточно высокий, то газ может увлекать за собой воду из подстилающей водоносной зоны, даже если она не перфорирована в скважине...

Первые упоминания о способах добычи нефти и газа

История науки знает много случаев, когда вокруг какой-нибудь проблемы разгораются жаркие споры. Такие споры идут и о происхождении нефти. Они начались в конце прошлого столетия и продолжаются до сих пор, то затихая, то вспыхивая вновь...

Проект монтажа рентгенодиагностического комплекса на три рабочих места

Проектирование камеры шлюза

Расчет выполняется в соответствии с п. 6.2 СНиП 2.02.08-87. Для Внецентренно сжатых элементов расчет по образованию трещин, нормальных к продольной оси элемента производим: где (при однорядном армировании); ; ;...

Разработка системы автоматизации хлебобулочного производства

Замес теста - важнейшая технологическая операция, от которой в значительной степени зависит дальнейший ход технологического процесса и качество хлеба. При замесе теста из муки, воды, дрожжей...

Резьба и ее характеристики

Резьба по ГОСТу 2.311-68 на стержне изображается условно сплошными основными линиями по наружному диаметру и тонкими сплошными линиями по внутреннему. На видах, полученных проецированием на плоскость параллельно оси стержня...

Фотография:
фотохимические процессы

Для регистрации оптических изображений используют фотохимические или фотоэлектрические системы. Главное различие фотохимического и фотоэлектрического процессов – в способе хранения информации. В фотохимическом процессе энергия поглощенных фотонов приводит к химическим изменениям вещества, которые позволяют хранить (по крайней мере, временно) информацию об изображении.

П отемнение некоторых соединений, в том числе солей серебра, под действием солнечного света было известно еще со времен алхимиков. Такое явление отмечали и специально исследовали многие естествоиспытатели, в том числе немецкий химик и врач Иоганн Глаубер (1604–1670), шведский химик Карл Вильгельм Шееле (1742–1786), французский химик Клод Луи Бертолле (1748–1822).

В 1727 г. немецкий физик Иоганн Шульце обнаружил, что паста из мела и нитрата серебра чернеет на солнечном свете, и получил черные изображения, используя трафарет. В конце XVIII в. в Англии Томас Уэджвуд и Гемфри Дэви (1778–1829) использовали линзу для создания изображения на стекле, бумаге и коже, обработанных нитратом серебра, и получали картины, которые, к сожалению, быстро исчезали. Результаты этих экспериментов были опубликованы в 1802 г.

Первые неисчезающие изображения были получены в 1826 г. французским землевладельцем и изобретателем Жозефом Нисефором Ньепсом (1765–1833), который использовал сплав олова и свинца, покрытый раствором природного битума в лавандовом масле. Битум затвердевал при выдержке на свету в течение нескольких часов, а неэкспонированные участки можно было затем растворить в очищенном скипидаре. В результате возникало рельефное изображение, которое использовалось как клише для получения копий с оригинала.

В 1829 г. Ньепс обратился к солям серебра. Позднее вместе с художником-декоратором и портретистом Луи Жаком Манде Дагером (1787–1851) он разработал метод получения изображений, названный дагеротипией. На фотографические пластины наносили слой серебра, а затем тщательно очищенную поверхность обрабатывали парами йода. Под действием света йодид серебра разлагался с образованием микроскопических частиц металлического серебра, не видимых глазом. Далее пластинку проявляли в парах ртути. Частицы серебра взаимодействуют с ртутью с образованием амальгамы серебра, что можно наблюдать визуально. Амальгама серебра создает участки с матовой поверхностью, оптические свойства которой отличаются от зеркальной поверхности серебра. Оставшийся йодид серебра удаляли обработкой хлоридом натрия (позднее стали использовать тиосульфат натрия). Для получения первых дагеротипов требовалось 15–30 мин экспозиции. К 1837 г., после смерти Ньепса, Дагер настолько усовершенствовал его методику, что мог получать изображения значительно большей яркости.

С ообщение об открытии этого процесса было встречено с большим энтузиазмом. Однако оно было омрачено критическими замечаниями по поводу того, что каждая картина была уникальной и не могла быть повторена. Тем не менее, несмотря на несовершенство процесса, число фотографов неуклонно росло. Хотя этот метод и использовался для пейзажных, архитектурных и рекламных съемок, основным применением дагеротипии стал портретный жанр. До развития дагеротипии изображения человека можно было получать только с помощью живописи, требовавшей больших затрат времени и денег. Дагеротипия стала недорогим способом портретной съемки и приобрела широкую популярность.

Датой рождения фотографии считается 7 января 1839 г., когда о ней был сделан доклад во Французской академии наук английским ученым-любителем Уильямом Генри Фоксом Тальботом (1800–1877). После завершения артистической карьеры он начал экспериментировать в фотографии и создал светочувствительную бумагу. Тальбот пропитывал листы бумаги хлоридом натрия, высушивал их, а затем обрабатывал нитратом серебра, что приводило к образованию хлорида серебра. Те участки, которые подвергались действию света и состояли из мельчайших частиц серебра, были темными. Неосвещенные участки оставались светлыми.

Хотя снимки Тальбота, несомненно, уступали по качеству картинам Дагера, нововведения этого процесса облегчали его дальнейшее совершенствование и прокладывали путь для той фотографии, которую мы знаем сейчас.

Английский астроном и физик Джон Фредерик Вильям Гершель (1792–1871), который еще в 1819 г. обнаружил, что тиосульфат натрия растворяет различные соли серебра, узнав о работах Дагера и Тальбота в январе 1839 г., стал фиксировать изображение тиосульфатом натрия. Именно Гершель первым придумал термины «фотография», «негатив» и «позитив».

Возможность воспроизведения была достигнута с помощью процесса «калотипии», запатентованного Тальботом в 1841 г. В усовершенствованном методе он использовал полупрозрачную бумагу, обработанную йодидом серебра, и «проявитель» – галловую кислоту. Он делал «негатив», с которого затем можно было получить любое число «позитивных» отпечатков. Более того, при этом было сделано важное открытие «скрытого изображения», которое надо было проявить позднее. Даже для очень грубых снимков Тальбота время экспозиции уменьшилось до нескольких минут, и получать портреты стало легче, хотя для позирующих это все еще было неудобно.

Через два года Тальбот впервые осуществил позитивную печать с увеличением.

«Мокрый коллоидный» процесс английского химика Фредерика Скота-Арчера (1831–1892), разработанный в 1851 г., уменьшил время экспозиции до ~10 с. Коллодий представляет собой вязкий раствор нитроцеллюлозы в смеси эфира и спирта. Пластинки Арчера изготовлялись путем растворения соответствующих йодидов и бромидов в вязком коллодии и нанесения этого раствора на стеклянную пластинку. Невысохшую пластинку сенсибилизировали погружением в нитрат серебра, экспонировали в фотокамере, проявляли, фиксировали, промывали и сушили. Такие мокрые фотопластинки оказались весьма чувствительными к свету и давали высокую четкость изображения. Существенным недостатком являлась необходимость осуществления всего процесса за время, пока покрытие не успевало полностью высохнуть, т.к., подсохнув, оно становилось практически непроницаемым для обрабатывающих растворов. Кроме того, фотограф должен был сам готовить пластинки и использовать их влажными.

Позднее были изобретены сухие коллоидные пластинки, однако они требовали приблизительно в три раза большего времени экспозиции, чем мокрые.

Пластинки с «сухим желатином», изобретенные в 1871 г. английским врачом Р.Л.Мэддоксом и усовершенствованные в 1878 г. Ч.Беннетом, сократили время экспозиции до всего лишь 0,1 с. Растворенный в воде желатин смешивался с бромидом калия, а затем с нитратом серебра. Полученная эмульсия наносилась на стеклянную пластинку и высушивалась. Теперь фотографы были избавлены от необходимости использовать штатив и собственноручно изготавливать фотопластинки.

В 1884 г. Джордж Истмен (1854–1932) получил патент на новую систему фотографирования, в которой использовалась роликовая пленка на бумажной подложке и кассета, которая заряжалась пленкой в темном помещении и прикреплялась к фотоаппарату. Этот человек основал американскую компанию «Кодак». В 1889 г. компания «Истмен кодак» наладила производство прозрачной гибкой пленки с подложкой из нитрата целлюлозы.

В 1873 г. немецкий исследователь Г.В.Фогель (1834–1898) открыл, что чувствительность фотоэмульсии можно увеличить, вводя в нее определенные красители. «Спектральная активация» в настоящее время может увеличить чувствительность не только по всей видимой области, но и в инфракрасной области.

Таким образом, знания в области химии позволили изобретателям шаг за шагом подойти к негативно-позитивному процессу с использованием фотопленок, основные принципы его сохранились до наших дней. Фотография является ярким примером технологии, которая успешно двигалась вперед с развитием представлений об ее общих принципах. Большинство основных процессов было охарактеризовано около полутора веков назад, однако ясного теоретического обоснования не существовало до публикации в 1938 г. классической работы Н.Ф.Мотта и Р.У.Герни в журнале Королевского общества (Англия). С тех пор было проведено большое количество фундаментальных исследований, касающихся фотопроцессов, в различных областях физики и химии твердого тела.

Н аиболее важными этапами фотографического процесса являются:

а) подготовка светочувствительной поверхности;

б) экспозиция для получения «скрытого изображения»;

в) проявление изображения для получения «негатива»;

г) сохранение изображения, т.е. его «фиксирование»;

д) изготовление «позитивных» отпечатков с негатива.

Получение светочувствительной поверхности. В современных процессах светочувствительная поверхность – это эмульсия галогенида серебра в желатине, нанесенная на подходящую прозрачную пленку или подложку. Галогенид осторожно осаждают таким образом, чтобы получить мелкие однородные кристаллы (содержащие ~10 12 атомов серебра и имеющие менее 1 мкм в диаметре), или «зерна», как их обычно называют. Выбор галогенида зависит от того, какая чувствительность требуется, однако обычно используется бромид серебра (в особо чувствительных пленках – йодид серебра). В эмульсии добавляют также хлорид серебра (особенно в эмульсии для бумаги) и определенные органические красители. Обычно галогенид серебра составляет около 12% всего объема эмульсии негативного материала и около 6% – в случае фотобумаги.

Экспозиция для получения «скрытого изображения». Когда при экспозиции на свету фотон энергии h попадает в зерно галогенида серебра, галогенид-ион возбуждается и отдает электрон в зону проводимости, через которую он быстро переходит на поверхность зерна, где может высвободить атом серебра:

Br – + h Br + e ,

Ag + + e Ag.

Эти стадии, в принципе, обратимы, однако на практике – нет, поскольку серебро высвобождается в дислокации (дефекте) кристалла или в позиции, занятой примесью (например, сульфидом серебра). Это дает возможность электрону понизить энергию, так что он оказывается в «ловушке». Активаторы чувствительности повышают чувствительность во всей видимой области спектра, т.к. они поглощают свет с характеристической частотой и обеспечивают механизм переноса энергии к галогенид-иону, чтобы возбудить электрон.

Чем больше фотонов попадает в зерно, тем больше электронов мигрирует и разряжает атомы серебра в одной точке. Образование хотя бы нескольких атомов серебра в зерне (в особо чувствительных эмульсиях в среднем 4–6 атомов, однако обычно в 10 раз больше) создает «точку». Она слишком маленькая, чтобы быть видимой. Однако концентрация зерен, содержащих такие точки, меняется по пленке в соответствии с изменением интенсивности полученного света, что создает в результате «скрытое изображение». Параллельное образование атомов галогена приводит к формированию молекул галогена, которые поглощаются желатином.

Проявление изображения для получения «негатива». «Проявление», или усиление интенсивности скрытого изображения, осуществляется действием мягкого восстановителя, который селективно восстанавливает те зерна, в которых имеются точки серебра, и не затрагивает неэкспонированные зерна. В этом процессе необходимо тщательно контролировать температуру и концентрацию и остановить процесс до того, как начнется взаимодействие с неэкспонированными зернами. Обычно в качестве восстановителя используют гидрохинон 1,4-C 6 H 4 (OH) 2 . Продуктом его окисления является хинон.

Химическая реакция проявления может быть выражена уравнением:

2AgBr + 1,4-C 6 H 4 (OH) 2 = 2Ag + 2HBr + 1,4-C 6 H 4 (O) 2 .

Для ускорения процесса в проявитель вводят щелочи, карбонаты или бораты (они повышают рН). Кроме того, в него добавляют сульфиты, которые предотвращают окисление проявителя кислородом воздуха и реагируют с продуктами окисления проявляющего вещества.

Процесс восстановления является примером каталитической твердофазной реакции. Ее механизм выяснен не до конца, однако полное восстановление металла в зерне (т.е. 10 12 атомов серебра), начинающееся с отдельной точки (т.е. 10 или 100 атомов серебра), дает замечательное усиление скрытого изображения примерно в 10 11 или 10 10 раз, что позволяет существенно уменьшить время экспозиции. Это является причиной первенства галогенидов серебра по сравнению с другими фоточувствительными материалами, хотя интенсивный поиск новых фотохимических систем все еще продолжается.

Сохранение изображения, т.е. его «фиксирование». После проявления негатив надо «закрепить» путем растворения всей оставшейся соли серебра, чтобы предотвратить ее дальнейшее восстановление. Для этого требуется подходящий комплексообразующий реагент. Обычно используется тиосульфат натрия:

AgBr + 2Na 2 S 2 O 3 = Na 3 + NaBr,

т.к. реакция идет практически до конца и оба продукта растворимы в воде.

Изготовление «позитивных» отпечатков с негатива. Позитивный отпечаток является обратным негативу. Он получается пропусканием света через негатив и повторением вышеперечисленных стадий с использованием бумаги вместо прозрачной пленки.

Е ще в те времена, когда стала развиваться дагеротипия, фотографы стремились к получению цветного изображения. Сначала пытались просто совместить изображения, снятые через цветные светофильтры, затем мелкие светофильтры стали размещать прямо в слое эмульсии на фотоматериале. В 1861 г. шотландский физик Джеймс Максвелл (1831–1879), обнаружив, что чувствительность солей серебра неодинакова в разных участках спектра, предложил трехцветный процесс, в котором отдельные негативы экспонировались через красный, зеленый и голубой фильтры. Тем самым он заложил основы для дальнейшего развития цветной фотографии. В 1861 г. в лондонском Королевском институте он продемонстрировал цветное изображение красной ленты.

При субтрактивном способе цветовоспроизведения, предложенном в 1868 г. французским химиком Луи Дюко дю Ороном (1837–1920), цвет частичных изображений является дополнительным к цвету лучей при экспонировании.

В 1903 г. братья Луи Жан и Огюст Люмьер разработали автохромный процесс получения цветных изображений. Для его осуществления мелкие зерна крахмала окрашивались в красный, зеленый и синий цвета. Эти зерна равномерно распределялись по стеклянной пластинке и покрывались эмульсией. Изготовленная таким образом пластинка экспонировалась со стороны стекла и проявлялась с обращением для получения диапозитива. Через несколько лет – в 1907 г. – цветная фотография стала коммерчески доступной.

Современные цветные фотоматериалы состоят из трех или более цветочувствительных эмульсионных слоев. Каждый из слоев по отдельности предназначен для регистрации одного из основных цветов. Верхний слой регистрирует лучи синей части спектра, средний – зеленой, нижний – красной.

Используемые для регистрации цветного изображения галогениды серебра сами по себе не могут образовывать цвета. Цвет вводится в пленку или отпечаток посредством краскообразующих компонентов, которые активируются во время цветного проявления. В процессе проявления продукты окисления проявляющего вещества реагируют с краскообразующими компонентами с образованием окрашенных участков только в тех местах, где произошло проявление. Цвет красителя каждого слоя является дополнительным к соответствующему основному цвету, к которому чувствителен этот слой.

Для изготовления любых фотоматериалов требуются соли серебра. Еще в XIX в. предлагалось использовать в фотографии светочувствительность некоторых солей железа, смешанных с солями платины или палладия, однако после первой мировой войны от этого способа отказались, в основном вследствие высокой стоимости фотоматериалов. Учитывая возможность полного исчерпания запасов серебра и его растущую стоимость, многие исследователи пытались найти новые недорогие светочувствительные материалы. Однако более перспективным оказалось повторное использование серебра после извлечения его из отработанных фотоматериалов. Альтернативой химическим фотографическим процессам стала цифровая фотография, хотя в некоторых отношениях она пока уступает традиционному способу фотографирования.

Л и т е р а т у р а

Greenwood N.N., Earnshaw A. Chemistry of the Elements, Oxford: Butterworth, 1997; Митчел Э. Фотография. Москва: Мир, 1988.

При зарядке фоторецептора коронным разрядом на поверхности фотопроводникового слоя осаждаются заряженные частицы (ионы воздуха). Если принять заряд частицы равным заряду электрона , а поверхностную плотность заряженных частиц обозначить через , то поверхностная плотность заряда может быть рассчитана по формуле . Среднее расстояние между заряженными частицами определяется числом частиц и равно

Между заряженной поверхностью и заземленной подложкой образуется электрическое поле, напряженность которого зависит от диэлектрической проницаемости фотопроводника (относительные единицы).

где - электрическая постоянная, равная , где .

Заряженная поверхность приобретает некоторый потенциал (измеряется относительно Земли). Напряженность электрического поля внутри фоторецептора определяется разностью потенциалов его поверхности и заземленной подложки .

Где - толщина слоя фотопроводника.

Отсюда следует, что

Зарядка фоторецептора коронным разрядом

Для зарядки поверхности фоторецептора довольно широко применяется коронный разряд. Образующиеся в разряде ионы осаждаются электрическим полем на поверхности фоторецептора, создавая поверхностный потенциал . Поверхностная плотность осажденного заряда зависит от тока разряда , направленного к фоторецептору. Здесь можно представить три случая. В первом ток направлен на заземленную металлическую пластину:. При этом от разности потенциала коронной проволочки и порогового потенциала зажигания заряда и константы зависит концентрация заряженных частиц в токе разряда. Величина зависит от подвижности ионов, расстояния между проволочкой и заряжаемой пластиной и от диаметра проволочки. Эта формула пригодна для расчета начального тока .

Фоторецептор во время зарядки можно представить как металлическую пластину, экранированную диэлектрической пленкой (фотопроводник в темноте имеет свойства диэлектрика). В этом случае на поверхности фотопроводника накапливается заряд того же знака и поэтому напряжение между коронной проволокой и фоторецептором непрерывно понижается. Вставив в формулу для , получим:

Третий случай - зарядка скоротроном (коротроном с управляющей сеткой).

Здесь ток разряда к фоторецептору где , а , и - потенциал сетки и ток разряда к сетке - ток к фоторецептору в отсутствие сетки, а - ток к фоторецептору при наличии сетки.

Приведенные выше формулы не учитывают темновой разрядки фоторецептора. Если принять, что темновой ток , уменьшающий потенциал фоторецептора, вызван только наличием в фотопроводниковом слое объемного заряда, его можно выразить формулой , где . Величина равняется 0,5…2,0. Плотность тока к фоторецептору равна .

Формулы для расчета потенциала заряжающегося фоторецептора сложны. Приведем некоторые из относительно простых формул, которые могут быть использованы для решения задач данного раздела.

, где -компонент, учитывающий темновой спад потенциала - электропроводность фоторецептора, равная , где - удельное сопротивление, сопротивление участка фоторецептора, - площадь этого участка, а - толщина фоторецептора.

Потенциал зарядки фоторецептора коротроном через время можно рассчитать по приведенной ниже формуле, в которой действие темнового тока не учитывается:

В приведенной выше формуле - электрическая емкость фоторецептора, равная , где - площадь заряженной поверхности, - толщина фотопроводникового слоя, - диэлектрическая проницаемость фоторецептора Ф/м. - константа, зависящая от параметров коротрона и подвижности ионов , которая на воздухе может быть принята равной .

Формулы для зарядки фоторецептора скоротроном при вольтамперной кривой, выраженной формулой и без учета темнового спада потенциала:

В приведенной выше формуле - начальный ток разряда, - электрическая емкость фоторецептора, - скорость перемещения поверхности фоторецептора в зоне зарядки. Ток разряда измеряется на единицу длины проволочки мкА/см или А/м. Скорость перемещения поверхности фоторецептора выражается соответственно в см/с или в м/с, а емкость - в фарадах, или Кл/В.

Максимальный потенциал , до которого можно зарядить фоторецептор скоротроном (без учета темнового спада потенциала) можно рассчитать по формуле:

Среднее расстояние между заряженными частицами на поверхности фоторецептора равно 30нм. Найти поверхностную плотность заряда.
. Найти поверхностный потенциал фоторецептора, если диэлектрическая проницаемость фотопроводникового слоя равна 3,2, а его толщина .
Поверхностная плотность заряда равна . Найти напряженность электрического поля в слое фотопроводника фоторецептора, если его диэлектрическая проницаемость равна 3,0.
Поверхностный потенциал фоторецептора равен 500В. Найти напряженность электрического поля в фотопроводниковом слое фоторецептора, если его толщина равна 25 мкм.
Поверхностный потенциал фоторецептора равен 500В. Найти поверхностную плотность заряда, если фотопроводниковый слой фоторецептора имеет следующие характеристики: диэлектрическая проницаемость фотопроводникового слоя равна 3,5, а его толщина мкм.
Среднее расстояние между заряженными частицами на поверхности фоторецептора равно 30нм. Найти напряженность электрического поля в фотопроводниковом слое фоторецептора, если его диэлектрическая проницаемость равна 3,6.
Поверхностная плотность заряженных частиц равна . Найти величину напряженности электрического поля, если диэлектрическая проницаемость фоторецептора равна 3,2.
Напряженность электрического поля в фоторецепторе равна . Найти поверхностную плотность заряженных частиц, если фоторецептор имеет диэлектрическую проницаемость .
Поверхностный потенциал равен 600В. Найти поверхностную плотность заряженных частиц, если фоторецептор имеет диэлектрическую проницаемость и толщину .
Два фоторецептора различной природы (органический фоторецептор и фоторецептор на основе селенида мышьяка) были заряжены до потенциала 600В. Как различаются величины плотности заряда, обеспечивающие такое значение потенциала на этих фоторецепторах? Органический фоторецептор имеет толщину фотопроводникового покрытия 28 мкм и относительную диэлектрическую проницаемость 3, толщина фотопроводникового слоя на основе селенида мышьяка 60 мкм, а его относительная диэлектрическая проницаемость равна 11.
Фоторецепторы на основе селенида мышьяка и аморфного кремния заряжены до одинаковой плотности заряда . Оба фотопроводниковых покрытия имеют одинаковые величины относительной диэлектрической проницаемости . Толщина слоя селенида мышьяка 50мкм. Какую толщину должен иметь слой аморфного кремния, чтобы потенциалы поверхности обоих фоторецепторов были одинаковыми? Найдите величину этого потенциала.
Определить поверхностный потенциал фоторецептора, если потенциал коронной проволочки 7 кВ, пороговый потенциал равен 3,2 кВ. Проводимостью фоторецептора пренебречь.
Определить напряженность электрического поля в фоторецепторе, если потенциал на коронирующем электроде равен 5,5кВ, пороговый потенциал 3,4 кВ, толщина фоторецептора 15мкм. Проводимостью фоторецептора пренебречь.
Найти поверхностный потенциал фоторецептора, если темновая проводимость слоя , ,· потенциал на коронирующем электроде равен 7,5кВ, пороговый потенциал 3,4 кВ, толщина фоторецептора составляет 25мкм.
, ,·потенциал на коронирующем электроде равен 6,5 кВ, пороговый потенциал 2,5 кВ. Найти толщину слоя фоторецептора, если напряженность электрического поля в слое равна .
Определить пороговый потенциал при условии, что поверхностный потенциал фоторецептора равен 1,6 кВ, потенциал на коронирующем электроде равен 4,5 кВ. Темновой проводимостью фоторецептора пренебречь.
Определить пороговый потенциал коронатора при условии, что поверхностный потенциал фоторецептора равен 600 В, потенциал на коронирующем электроде равен 5,5 кВ. Проводимость слоя фоторецептора равна , ,· толщина фоторецептора составляет 25мкм.
Поверхностный потенциал на фоторецепторе равен 800В, потенциал на коронирующем электроде равен 5,8 кВ, ,·сопротивление участка фоторецептора площадью и толщиной 20мкм равно . Найти пороговый потенциал коронатора.
Найти проводимость фоторецептора при условии, что пороговый потенциал коронатора равен 2,8кВ, поверхностный потенциал фоторецептора равен 800 В, потенциал на коронирующем электроде равен 5,5 кВ, ,· толщина фоторецептора составляет 20мкм.
Темновая проводимость слоя равна , ,·потенциал на коронирующем электроде равен 5,5 кВ, пороговый потенциал 3,5 кВ, толщина фоторецептора составляет 20мкм. Найти напряженность электрического поля в слое.
Потенциал на коронирующем электроде равен 7,5 кВ, пороговый потенциал 3,5 кВ, толщина фоторецептора составляет 20мкм. До какого значения поверхностного потенциала заряжается фоторецептор, если его проводимость равна , , , , , , Построить график зависимости V от .
Найти поверхностную плотность заряда на фоторецепторе, образующуюся при зарядке, если темновая проводимость слоя равна , ,· потенциал на коронирующем электроде равен 7,5 кВ, пороговый потенциал 3,4 кВ, толщина фоторецептора составляет 25мкм. Диэлектрическая проницаемость фоторецептора равна 3,6.
Определить плотности тока коронного разряда I, , который будет течь к фоторецептору в момент достижения его поверхностью потенциалов V=500В и 600В. Для зарядки использован цилиндрический коротрон, его постоянная . Потенциал коронной проволочки равен 8000В, пороговый потенциал .
Определить плотность тока коронного разряда I, при зарядке фоторецептора коротроном задачи 23 до потенциала 600В, если имеет место темновой ток , при B=A.
Определить плотность тока коронного разряда I, , который будет течь к фоторецептору в момент достижения его поверхностью потенциала, равного потенциалу сетки скоротрона. Величины констант А равняются: , а . Потенциал, подаваемый на коронную проволочку равен 8100В, пороговый потенциал 4100В, потенциал, подаваемый на сетку скоротрона 600В.
Скорость зарядки фоторецептора увеличена в 1,5 раза. Какие параметры процесса зарядки следует изменить, чтобы потенциал поверхности заряженной пластины не изменился?
Во сколько раз следует изменить ток разряда , чтобы при увеличении скорости зарядки в 1,2 раза потенциал зарядки не изменился?

Скрытое электростатическое изображение состоит из электрических зарядов. Чтобы его получить, участки, где в соответствии с изображением не должно быть заряда, подвергают фоторазрядке, сообщая определенное количество освещения - экспозицию Н. Потенциал на освещенных участках падает. График зависимости потенциала поверхности фоторецептора от полученной ею экспозиции называют фотоиндуцированной разрядной кривой (ФИРК). Ее можно построить в координатах для монохроматического излучения и или для интегрального излучения.

Для прямолинейного участка ФИРК можно записать следующее математическое выражение: ., где

Спектральная чувствительность, определяемая по образованию скрытого электростатического изображения, которая выражается в или ; - эффективность фоторецептора, определяемая как отношение числа фотогенерированных свободных носителей заряда, разряжающих поверхностный заряд фоторецептора, к числу поглощенных фотонов, - поверхностный потенциал до начала экспонирования, - световой поток, - коэффициент поглощения в генерационном слое, - экспозиция, даваемая уравнением

где h - постоянная Планка, с - скорость света, - длина волны экспонирующего света. Как следует из уравнений, по линейному участку ФИРК можно определить чувствительность фоторецептора и его эффективность. Интегральная чувствительность дается выражением

В технических характеристиках фоторецепторов светочувствительность выражается как обратная величина критериальной экспозиции, необходимой для снижения начального потенциала на 20 или процентов (обычно 50%): и . Из этого определения следует связь между и и .

Формирование скрытого изображения состоит из следующих стадий: образование в генерационном слое свободных носителей зарядов, инжекция носителей заряда в транспортный слой, перемещение зарядов к поверхности и нейтрализация поверхностного заряда.

Для скорости генерации свободных носителей зарядов можно записать формулу:

Коэффициент поглощения пигмента, генерирующего заряды, зависит от длины волны излучения, поэтому скорость генерации свободных зарядов определяется кривой поглощения пигмента и спектральным составом излучения, падающего на поверхность фоторецептора .

Величина квантовой эффективности образования свободных носителей заряда определяется квантовой эффективностью образования электронно-дырочных пар, , и долей электронно-дырочных пар, участвующих в образовании свободных носителей заряда. Все эти величины зависят от длины волны поглощенного излучения.

Где - кулоновский радиус, а -расстояние друг от друга носителей заряда в момент образования электронно-дырочной пары.

Скорость пролета носителей заряда в транспортном слое пропорциональна напряженности электрического поля. - скорость пролета заряда в м/с, - подвижность носителя заряда, имеющая размерность, а E- напряженность в В/м. Зависимость величины от расстояния между транспортными центрами r, абсолютной температуры T и напряженности электрического поля E описывается эмпирическим уравнением Гилла:

Здесь. - не зависящий от температуры и поля предэкспоненциальный множитель, . - энергия активации подвижности носителей заряда в поле . - энергия активации в нулевом поле, . - постоянная Больцмана, равная 1,38 Дж/К, Т и .- температуры измерения и характеристическая для данного фоторецептора температура, К, r - среднее расстояние между транспортными центрами .,где с - концентрация транспортных центров, ., . - постоянная спада волновой функции транспортного центра (как правило, ., . - константа, приблизительно равная.

Подвижность носителей заряда в транспортном слое равна. Определить время пролета носителей через слой, если его толщина равна 20 мкм и поверхностный потенциал составляет 850 В.
Определить время пролета носителей через слой, если его толщина равна 25 мкм, плотность поверхностного заряда . и диэлектрическая проницаемость фоторецептора 3,4.
Подвижность дырок в фоторецепторе равна., поверхностный потенциал 700 В и толщина транспортного слоя 25 мкм. Определить время пролета дырок через слой.
Поверхностная концентрация однозарядных ионов заряженного фоторецептора составляет. Определить время пролета через транспортный слой для носителей заряда, если диэлектрическая проницаемость слоя равна 3,3, толщина слоя 25 мкм, подвижность.
Определить толщину транспортного слоя при условии, что подвижность носителей заряда равна., толщина транспортного слоя 25 мкм и поверхностный потенциал 700 В.
В электрофотографическом аппарате блок экспонирования и блок проявления расположены под углом. Найти максимальную частоту вращения барабана, при которой не ухудшается качество копий, если подвижность носителей заряда в транспортном слое равна., его толщина 20 мкм и поверхностный потенциал составляет 850 В.
Время пролета носителей заряда через транспортный слой равно 15мс. Определить подвижность носителей заряда, если поверхностный потенциал равен 650 В, а толщина слоя 25 мкм.
Каким должен быть поверхностный потенциал, если время между экспонированием и проявлением электростатического изображения в электрофотографическом аппарате составляет 3,5 с при условии, что толщина транспортного слоя равна 14 мкм и подвижность носителей заряда составляет.
Поверхностный потенциал фоторецептора равен 750 В, подвижность носителей заряда . Как изменится время пролета, если толщина транспортного слоя равна 5, 10, 15, 25, 30, 40 мкм? Построить график этой зависимости.
При комнатной температуре подвижность равна . Как изменится подвижность при нагревании фоторецептора до ? Энергия активации подвижности равна 0,35 эВ.
При подвижность равна . Определить энергию активации подвижности.
Найти величину электрического поля, при которой для данного фоторецептора подвижность носителей заряда не зависит от температуры. Энергия активации в нулевом поле равна 0,3 эВ.
Максимальное расстояние между транспортными центрами в транспортном слое, при котором реализуется электронный транспорт, составляет . Какая концентрация транспортных центров соответствует этому расстоянию? Ответ получить в . Величина .

Разрешающая способность скрытого электростатического изображения на фоторецепторе выражается уравнением

где и - подвижности в нулевом поле и в поле E. Суммарная разрешающая способность электрофотографического процесса определяется выражением

В этих формулах R - разрешающая способность процесса в целом, - предельная разрешающая способность скрытого изображения, - разрешающая способность проявления, определяемая размером частиц тонера, - разрешающая способность, определяемая структурой материала.

Как изменится предельная разрешающая способность скрытого электростатического изображения при подвижности , , , ,
Найти разрешающую способность скрытого электростатического изображения при и температуре , если , .
Найти, как изменяется разрешающая способность с увеличением напряженности электрического поля в ряду , , , , , , , , В/см при температуре , , . Построить график в координатах , lgE.
Средний диаметр частиц тонера равен 6 мкм, , К. Тонерное изображение с фоторецептора переносится на специальную полимерную пленку для лазерного принтера. Определить суммарную разрешающую способность полученного изображения.
Определить разрешающую способность скрытого электростатического изображения при температурах 15, 20, 25, 30, 35 и , если , и подвижности . Построить график зависимости , от температуры.

Электрическое поле в зоне проявления над равномерно заряженной поверхностью фоторецептора .

В зоне проявления заряженная поверхность фоторецептора оказывается между двумя электродами - подложкой фоторецептора и проявляющим валиком. В этом случае электрическое поле, создаваемое зарядом с поверхностной плотностью , распределяется между фотопроводниковым слоем и зоной проявления. Если оба электрода заземлены, то напряженность электрического поля над равномерно заряженным участком скрытого изображения выражается следующей формулой:

При подаче на проявляющий валик потенциала смещения, отличного от нуля, уравнение (1) приобретает вид:

(2)

В уравнениях (1) и (2) - и - относительная диэлектрическая проницаемость фоторецептора и зоны проявления, в которой находится проявитель, d -величина зазора между проявляющим электродом (проявляющим валиком) и фоторецептором, L - толщина слоя фотопроводника, V - потенциал сплошного участка скрытого изображения, - потенциал смещения, подаваемый на проявляющий валик.

Величина , обычно невелика по сравнению с величиной d. Поэтому если при расчете напряженности электрического поля в зоне проявления не требуется большая точность, можно использовать упрощенную формулу:

Электрическое поле в зоне проявления над скрытым штриховым изображением, представляющим периодический штриховой рисунок

Если плотность заряда в скрытом штриховом изображении (линейной решетке) изменяется по синусоидальному закону, то для него можно записать следующее математическое выражение:

где - постоянная составляющая, равная усредненной по площади поверхностной плотности заряда:

Переменная составляющая показывает отклонение плотности заряда от средней величины при перемещении вдоль оси y. Параметр k является пространственной частотой, равной , где - период зарядового рельефа (например, расстояние между центрами штрихов). В свою очередь, , где n - частота линий в решетке. Величины k и n связаны между собой формулой . Величина k выражается в радианах на миллиметр .

Зависимость нормальной составляющей напряженности электрического поля от потенциалов скрытого изображения для такого штрихового рисунка удобно выразить формулой:

где: , , .

Для центра штрихов . Величина - представляет собой электростатический контраст, численно равный разности электрических потенциалов изображения и фона, - потенциал смещения на проявляющем электроде.

Если потенциал смещения равен потенциалу фона: , то уравнение (3) упростится до выражения (4):

из которого видно, что электрическое поле над штриховым изображением определяется электростатическим контрастом скрытого изображения .

Перепишем уравнение (3) следующим образом:

. (5)

Первый член уравнения представляет собой постоянную составляющую проявляющего электрического поля. Она соответствует напряженности поля над сплошным участком скрытого изображения, заряд которого равен усредненному по площади заряду штрихового изображения и не зависит от расстояния z.

Второй член уравнения (5) - переменная составляющая поля. Она связана со штриховым изображением и изменяется с расстоянием от фоторецептора. При больших величинах z, когда , переменная составляющая формулы (5) исчезает. Электрическое поле станет равномерным, зависящим только от и . Его напряженность можно выразить следующим уравнением:

3. В случае равномерно заряженного участка скрытого изображения (центра плашки) частота . В этом случае ; , а . Выражение (3) упрощается до выражения (1):

, где (3),

Потенциал участка поверхности фоторецептора равен 800В. Найти напряженность электрического поля в зазоре между проявляющим электродом и поверхностью фоторецептора, если проявитель в зоне проявления отсутствует и проявляющий электрод заземлен. Толщина фоторецептора L=20мкм, а зазор d равен 300мкм. Относительная диэлектрическая проницаемость фоторецептора 3,0.
Потенциал поверхности фоторецептора равен -600В. На проявляющий электрод подано напряжение смещения -100В. Найти напряженность электрического поля в зоне проявления, если толщина фоторецептора равна 25мкм, величина зазора 300мкм, величины относительной диэлектрической проницаемости фоторецептора и зоны проявления одинаковы.
Поверхностная плотность заряда равна . Найти·поверхностный потенциал, если диэлектрическая проницаемость фоторецептора , его толщина L=20 мкм. Характеристики зоны проявления , d=250 мкм.
Какова будет напряженность электрического поля в зоне проявления над равномерно заряженным фоторецептором, если высота зоны составит 100 мкм? 1000 мкм? Потенциал поверхности во всех случаях 600 В, потенциал смещения на проявляющем электроде -200 В.
Как изменится напряженность электрического поля для сплошного участка скрытого электростатического изображения с потенциалом -400 при изменении напряжения смещения на проявляющем электроде с -100 В до -200 В?
Толщину фотопроводникового слоя фоторецептора L изменили с 20 мкм до 30 мкм. Как изменится напряженность электрического поля в зоне проявления, если потенциал поверхности фоторецептора равен -600 В, величины относительной диэлектрической проницаемости фоторецептора и зоны проявления равны 9,0. Расстояние от фоторецептора до проявляющего валика 150мкм.
При каком расстоянии от равномерно заряженного фоторецептора до проявляющего валика напряженность проявляющего электрического поля можно рассчитывать по формуле ? Толщина фотопроводникового слоя фоторецептора равна 20 мкм, а его диэлектрическая проницаемость равна . Диэлектрическая проницаемость зоны проявления . Процент ошибки не должен превышать 10%.
Как будут различаться величины напряженности электрического поля в зоне проявления при осаждении тонера на равномерно заряженные участки двух фоторецепторов, если они имеют разные величины относительной диэлектрической проницаемости и 9,0? Толщины фотопроводниковых слоев одинаковые (40 мкм). Проявляющий валик удален от фоторецептора на расстояние 2,0 мм, Относительная диэлектрическая проницаемость тонерного облака в зоне проявления 3,0.
Постройте потенциальный рельеф скрытого изображения синусоидальной решетки при пространственной частоте , максимальной поверхностной плотности заряда и минимальной плотности, равной 0,0. Построение провести для периода .
Определить напряженность электрического поля в зоне проявления над центрами штрихов скрытого электростатического изображения синусоидальной решетки, если потенциал смещения на проявляющем электроде равен фоновому потенциалу. Максимальная и минимальная плотности заряда равны , а период решетки равен 50 мкм. Величина зазора между фоторецептором и проявляющим валиком 100 мкм.
Как возрастет напряженность электрического поля над центрами штрихов, если проявляющий электрод, находившийся на расстоянии 100 мкм, придвинули ближе к фоторецептору на расстояние 50 мкм.
На каком расстоянии от поверхности фоторецептора поле над штриховым изображением станет практически равномерным? Этому условию отвечает p(z)=0,1. Скрытое изображение представляет собой синусоидальную решетку с амплитудой , минимальным зарядом, равным 0,0 и пространственной частотой . Расстояние между фоторецептором и проявляющим электродом 100 мкм
Зарядовое изображение на поверхности фоторецептора представляет собой синусоидальную периодическую решетку с периодом 20 мкм, максимальной плотностью заряда и минимальной . Найти, как скажется на предельной высоте зоны проявления zmax изменение зазора между проявляющим валиком и фоторецептором с 100мкм до 250мкм. На высоте p(z)=0,1=0,05.
Рассчитайте напряженность проявляющего электрического поля у поверхности фоторецептора над центрами штрихов скрытого изображения миры. Толщина фоторецептора L= 40 мкм, его диэлектрическая проницаемость равна , толщина зоны проявления d=100 мкм, диэлектрическая проницаемость зоны проявления равна , период штрихового рисунка 40 мкм, потенциал штриха в его центре V=-500В, потенциал фона равен нулю. Проявляющий валик заземлен.
Рассчитайте напряженность электрического поля в зоне проявления Ez над центрами штрихов рисунка миры у поверхности проявляющего электрода. Толщина фоторецептора L= 40 мкм, его относительная диэлектрическая проницаемость равна , толщина зоны проявления d=100 мкм, относительная диэлектрическая проницаемость зоны проявления равна 5, период штрихового рисунка 40 мкм, потенциал штриха в его центре V=-500В, потенциал фона равен -100 В. Напряжение смещения на проявляющем валике -100 В.
Рассчитайте напряженность электрического поля в зоне проявления Ez над центрами штрихов рисунка миры на расстоянии 40 мкм от поверхности фоторецептора. Толщина фоторецептора L= 20 мкм, его относительная диэлектрическая проницаемость равна , толщина зоны проявления d=100 мкм, относительная диэлектрическая проницаемость зоны проявления равна 5, период штрихового рисунка 40 мкм, потенциал штриха в его центре V=-500В, потенциал фона равен нулю. Проявляющий валик заземлен.
Для условий задачи 16 постройте график изменения напряженности электрического поля в зоне проявления вдоль нормали к поверхности фоторецептора.
Для штрихового рисунка с периодом мкм постройте график зависимости параметра p(z) от расстояния z от поверхности фоторецептора. Расстояние от фоторецептора до проявляющего электрода равно 1000 мкм. Расчет производить для центра штриха.
Рассчитайте напряженность электрического поля на расстоянии 20 мкм (по нормали) от центров штрихов скрытого изображения линейной решетки с пространственной частотой . Толщина фоторецептора L= 20 мкм, его относительная диэлектрическая проницаемость равна , толщина зоны проявления d=100 мкм, относительная диэлектрическая проницаемость зоны проявления равна , расстояние между фоторецептором и проявляющим электродом 100 мкм. Потенциал фона равен , потенциал штрихов равен потенциалу смещения .
Определите величину и направление нормальной составляющей напряженности электрического поля на расстоянии 20 мкм от скрытого изображения линейной решетки с пространственной частотой . Расчеты провести для центров штрихов и центров просветов Толщина фоторецептора L= 20 мкм, его относительная диэлектрическая проницаемость равна , относительная диэлектрическая проницаемость зоны проявления равна 5, расстояние между фоторецептором и проявляющим электродом 100 мкм. Потенциалы скрытого изображения равны , , потенциал смещения на проявляющем электроде .

На удельный заряд тонера q/m. В результате получим:

Двухкомпонентный проявитель состоит из ферромагнитных частиц носителя, покрытых более мелкими частицами тонера. Тонер удерживается на носителе, в основном, силами электростатического притяжения. Оно возникает, поскольку при трении тонера и носителя друг о друга на их частицах возникают заряды противоположных знаков (трибоэлектризация). К трибоэлектрической зарядке способна не вся поверхность частицы тонера, а только ее активные участки. То же относится и к носителю.

Если число активных участков носителя достаточно велико для полной зарядки частиц тонера, то справедливо следующее выражение:

(12),

где q/m - удельный заряд тонера, - максимальный заряд частицы тонера, - масса частицы тонера, e- заряд электрона, - число заряженных участков частицы тонера, - число частиц тонера - разность работы выхода электрона из тонера и носителя.

Если число активных участков на носителе ограничено, то удельный заряд тонера зависит от его относительной концентрации и может быть рассчитан по формуле:

(13),

где N - число активных участков на частице носителя, - масса частицы носителя, - относительная концентрация тонера.

Частицы проявителя образуют магнитную кисть, щетинки которой состоят из частиц проявителя, выстроившихся по силовым линиям магнитного поля. В зоне проявления электрическое поле отрывает от носителя частицы тонера и переносит их на скрытое электростатическое изображение. Для такого переноса поле должно преодолеть силы, удерживающие тонер на носителе. Частицы тонера имеют диэлектрические свойства. Носитель может иметь свойства диэлектрика, либо обладать электропроводностью. При диэлектрической магнитной кисти по мере ухода частиц тонера с частиц носителя образуется некомпенсированный заряд, который также удерживает тонер силой:

Площадь, проекции на фоторецептор одной частицы проявителя, p - плотность упаковки поверхности фоторецептора проявителем, ?- отношение линейных скоростей проявляющего валика и фоторецептора. Отсюда, .

Рассчитать заряд частицы носителя, зарядившей 250 частиц тонера, если отношение массы носителя к его заряду равно , величины работы выхода электрона из тонера и носителя W соответственно равны 5,3 и 4,3 эВ. Заряд электрона e равен

, диаметр частицы носителя

, плотность носителя

. Частицы носителя имеют сферическую форму.

Определить, как изменится удельный заряд тонера при изменении концентрации тонера с 1 до 3 вес. %, если число активных участков на носителе ограничено? Если число активных участков тонера достаточно для полной зарядки частиц тонера?

Определить относительную концентрацию тонера , если частица носителя диаметром мкм покрыта 250 частицами тонера, имеющими диаметр мкм. Плотность частиц тонера

, плотность частиц носителя

. Частицы тонера и носителя считать сферическими.

Графики зависимости m/q (тонер) от относительной концентрации тонера представляют собой прямые линии, наклон которых не зависит от размера тонерных частиц. Для концентрации тонера 2% величина m/q для тонера диаметром 6,5 мкм составляет 0,04г/мкКл, а тангенс угла наклона кривой равен 0,0052г/(мкКл·%). Для тонера с диаметром частиц 14 мкм величина m/q составляет 0,05 г/мкКл. При какой относительной концентрации тонера диаметром 14 мкм он получит удельный заряд, равный 25 мкКл/г?

Как изменится поверхностная плотность осажденного тонера при изменении радиуса частицы двухкомпонентного проявителя с 120 мкм до 80 мкм?

При линейной скорости вращения фоторецептора 2,5 см/с, скорости проявляющего валика 7,5 см/с и потенциале проявляемого сплошного участка скрытого изображения -500 В поверхностная концентрация тонерного изображения составила . Как изменится поверхностная концентрация тонерного изображения, если скорость проявляющего валика повысить до 15,0 см/с? снизить до 5,0 см/с?

Как изменится поверхностный заряд тонерного изображения при проявлении сплошного участка скрытого изображения, если число тонерных частиц на частице носителя изменяется вдвое?

Рассчитать, во сколько раз возросла сила, с которой тонер удерживается диэлектрическим носителем, после того как с него ушло на проявление 50 частиц тонера (по сравнению с силой после ухода двух частиц). Во сколько раз должна возрасти пороговая напряженность электрического поля, чтобы преодолеть эту силу?

При однокомпонентном проявлении магнитным тонером определить величину порогового потенциала, если

= 300 мкм, сила магнитного притяжения равна FM

Н, сила электростатического притяжения тонера к валику

, заряд частицы тонера

СКРЫТОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ - изменение, произведенное в бромистом серебре под действием света, непосредственно не обнаруживаемое, но обусловливающее проявляемость эмульсионного слоя. Это изменение столь мало, что невидимо даже в электронный микроскоп при увеличении в 50 000-100 000 раз. Механизм образования скрытого изображения выяснен в основных его этапах. При попадании кванта актиничного света в эмульсионный микрокристалл энергия этого кванта затрачивается на вырывание одного электрона из иона брома кристаллической решетки бромистого серебра. Образовавшийся фотоэлектрон свободно перемещается по кристаллу (см. Фотопроводимость) до тех пор, пока он не встретит «ловушку». Такой «ловушкой» может служить чужеродная примесь к бромистому серебру, в основном мельчайшие частицы металлического серебра, которые создаются в процессе созревания эмульсии. Эти частицы (центры светочувствительности) расположены главным образом на поверхности микрокристаллов, хотя некоторое их число находится также и в глубине. Центр светочувствительности, захвативший электрон, приобретает отрицательный заряд и притягивает междуузельный ион серебра (см. Кристаллическая решетка), который, соединяясь с электроном, образует атом серебра, откладывающийся на центре светочувствительности.

Этот процесс повторяется, и центр светочувствительности превращается в устойчивый субцентр скрытого изображения. Субцентр состоит из нескольких атомов серебра, но еще не может служить центром проявления, т. е. не является активным центром скрытого изображения. Субцентры играют важную роль в практически важных методах повышения светочувствительности - гиперсенсибилизации- и усиления скрытого изображения. При дальнейшем освещении субцентр доращивается до размеров центра скрытого изображения, и микрокристалл становится проявляемым (см. Проявление фотографическое, теория).

Одновременно с поверхностными центрами скрытого изображения образуются более мелкие глубинные центры скрытого изображения. Так как обычные проявители не содержат достаточного количества растворителей бромистого серебра, то они не могут достичь глубинных центров скрытого изображения и проявить микрокристалл. Поэтому наличие в кристалле большого количества глубинных центров светочувствительности, конкурирующих в отношении захвата фотоэлектронов с поверхностными центрами, приводит к понижению светочувствительности. После вырывания электрона квантом света из иона брома последний превращается в атом брома, который перемещается по микрокристаллу до выхода на поверхность, где он связывается желатиной или другим акцептором брома. В отсутствии акцептора брома последний может снова превратить серебро скрытого изображения в бромистое серебро (см. Соляризация) и светочувствительность эмульсионного слоя уменьшается.